CdZnTe晶片表面化学抛光研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (5): 790-793.

CdZnTe晶片表面化学抛光研究

汪晓芹;介万奇;杨戈

西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

出版日期:2005-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50336040)

Study on Chemical Polishing of CdZnTe Wafer Surface

WANG Xiao-qin;JIE Wan-qi;YANG Ge

Online:2005-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对CdZnTe进行化学抛光,发现用2;Br2-MeOH腐蚀时速率平稳且易于控制,能有效去除表面划痕,获得光亮表面.AFM分析发现,抛光后表面粗糙度降低30;,平整度增加.XPS分析发现CdZnTe的(111)Cd极性面变成了富Te非极性表面.PL分析发现表面陷阱态密度降低,表面晶格的完整性增强.

中图分类号:

TL816

汪晓芹;介万奇;杨戈. CdZnTe晶片表面化学抛光研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 790-793.

WANG Xiao-qin;JIE Wan-qi;YANG Ge. Study on Chemical Polishing of CdZnTe Wafer Surface[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 790-793.

[1]	李志伟, 唐慧丽, 徐军, 刘波. 超宽禁带半导体氧化镓基X射线探测器的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(3): 523-537.
[2]	胡孟春;李忠宝;刘建;甫跃成;章法强;王文川;张建华;唐登攀;李如荣;陈力雄;黄雁. 大面积LaBr3:Ce闪烁探测器伽马灵敏度和时间响应测量[J]. 人工晶体学报, 2017, 46(7): 1215-1219.
[3]	胡孟春;李忠宝;甫跃成;刘建;唐登攀;李如荣;王文川;黄雁;陈力雄. 强辐射对Yb∶YAG超快无机闪烁探测器灵敏度影响的实验测量[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(3): 597-603.
[4]	胡孟春;李如荣;李忠宝;甫跃成;刘建;唐登攀;张建华;陈力雄;黄雁. 低强度脉冲伽马辐射测量中LaCl3、YAG∶Yb和CeF3闪烁探测器优选[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(11): 2897-2902.
[5]	张建华;彭太平;胡孟春;王振通;赵广军. YAP:Ce闪烁晶体的光致激发荧光衰减常数测量[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 1057-1060.
[6]	胡孟春;李忠宝;唐章奎;彭太平;王振通;张建华;唐正元;杨洪琼;杨高照. CeF3闪烁探测器对五种能量中子的甄别能力研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 514-518.
[7]	胡孟春;李忠宝;唐章奎;周殿忠;杨洪琼;王振通;张建华;胡青元;杨高照. 脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 380-383.

CdZnTe晶片表面化学抛光研究

Study on Chemical Polishing of CdZnTe Wafer Surface

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