Ce3+:YAG晶体位错的研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (5): 861-864.

Ce3+:YAG晶体位错的研究

王召兵;张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;苏静;张霞;邵淑芳

中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031;曲阜师范大学激光研究所,曲阜,273165;中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50472104)

Study on Dislocation of Ce3+: YAG Crystal

WANG Zhao-bing;ZHANG Qing-li;YIN Shao-tang;SUN Dun-lu;SU Jing;ZHANG Xia;SHAO Shu-fang

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报导了用中频感应加热提拉法生长Ce3+:YAG晶体,直径达45mm.对样品采用不同的化学试剂进行了时间不等的腐蚀,用偏光显微镜观察到不同形貌的位错蚀坑,分析了位错与晶体结构及生长工艺参数等因素之间的关系.

中图分类号:

O771

王召兵;张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;苏静;张霞;邵淑芳. Ce3+:YAG晶体位错的研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 861-864.

WANG Zhao-bing;ZHANG Qing-li;YIN Shao-tang;SUN Dun-lu;SU Jing;ZHANG Xia;SHAO Shu-fang. Study on Dislocation of Ce3+: YAG Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 861-864.

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