掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (5): 865-869.

掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究

刘金伟;刘国庆;江竹青;陶世荃

北京工业大学应用数理学院,北京,100022

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(69977005);北京市教委科技发展计划项目(05006012200201)

Study on the Growth Defects of Doped LiNbO3 Crystals and Their Properties of Compact Volume Holographic Storage

LIU Jin-wei;LIU Guo-qing;JIANG Zhu-qing;TAO Shi-quan

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂LiNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系.通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑.测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系.并发现掺Zn的Fe:LiNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高.

中图分类号:

刘金伟;刘国庆;江竹青;陶世荃. 掺杂LiNbO3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 865-869.

LIU Jin-wei;LIU Guo-qing;JIANG Zhu-qing;TAO Shi-quan. Study on the Growth Defects of Doped LiNbO3 Crystals and Their Properties of Compact Volume Holographic Storage[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 865-869.

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