用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (5): 902-906.

用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜

李丽娜;谷景华;张跃;路浩天

北京航空航天大学材料学院,北京,100083

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50436040)

Growth of TiO2 Thin Films on Glass and Si(100) Substrates by AP-MOCVD

LI Li-na;GU Jing-hua;ZHANG Yao;LU Hao-tian

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下分别在Si(100)和玻璃基片上制备TiO2薄膜.当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向,在Si(100)基片上生长的TiO2薄膜也有取向性.通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构.

中图分类号:

李丽娜;谷景华;张跃;路浩天. 用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 902-906.

LI Li-na;GU Jing-hua;ZHANG Yao;LU Hao-tian. Growth of TiO2 Thin Films on Glass and Si(100) Substrates by AP-MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 902-906.

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