4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1006-1010.

4H-SiC同质外延生长及Ti/4H-SiC肖特基二极管

孙国胜;宁瑾;高欣;攻全成;王雷;刘兴昉;曾一平;李晋闽

中国科学院半导体研究所,北京,100083

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20

Homoepitaxial Growth of 4H-SiC and Ti/4H-SiC SBDs

SUN Guo-sheng;NING Jin;GAO Xin;GONG Quan-cheng;WANG Lei;LIU Xing-fang;ZENG Yi-ping;LI Jin-min

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻塞电压大于1kV的Ti/4H-SiC肖特基二极管,二极管的正向与反向电流的整流比(定义偏压为±1V时的电流比值)在室温下超过107,在265℃的温度下超过102,在20～265℃的温度范围内,利用电流电压测量研究了二极管的电学特性,室温下二极管的理想因子和势垒高度分别为1.33和0.905eV,开态电流密度在2.0V的偏压下达到150A/cm2,比开态电阻(Ron)为7.9mΩ·cm2,与温度的关系遵守Ron～T2.0规律.

中图分类号:

TN304

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