在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1050-1055.

在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN

谢自力;张荣;修向前;毕朝霞;刘斌;濮林;陈敦军;韩平;顾书林;江若琏;朱顺明;赵红;施毅;郑有炓

南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
科技部科研项目(G2000068305);国家科技攻关项目(2001AA311110;2003AA311060;2004AA311080);中国科学院资助项目(69976014;69806006;69987001;6039072;60476030);国家自然科学基金(60025411);江苏省自然科学基金(BK2003203)

Synthesis and Growth of InN with Pre-deposited Indium Nanodots Method on MOCVD at Low Temperature

XIE Zi-li;ZHANG Rong;XIU Xiang-qian;BI Zhao-xia;LIU Bin;PU Lin;CHEN Dun-jun;HAN Ping;GU Shu-lin;JIANG Ruo-lian;ZHU Shun-ming;ZHAO Hong;SHI Yi;ZHENG You-dou

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.

中图分类号:

O484

谢自力;张荣;修向前;毕朝霞;刘斌;濮林;陈敦军;韩平;顾书林;江若琏;朱顺明;赵红;施毅;郑有炓. 在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1050-1055.

XIE Zi-li;ZHANG Rong;XIU Xiang-qian;BI Zhao-xia;LIU Bin;PU Lin;CHEN Dun-jun;HAN Ping;GU Shu-lin;JIANG Ruo-lian;ZHU Shun-ming;ZHAO Hong;SHI Yi;ZHENG You-dou. Synthesis and Growth of InN with Pre-deposited Indium Nanodots Method on MOCVD at Low Temperature[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(6): 1050-1055.

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