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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1083-1087.

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水热法ZnO晶体特征研究

宋词;杭寅;张昌龙;徐军;顾书林;夏长泰;周卫宁;仲维卓   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;桂林矿产地质研究院,桂林,541004;南京大学物理系,南京,210093;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
  • 出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家科技攻关项目(2002AA311060)

Characteristics of Hydrothermally Grown ZnO Crystal

SONG Ci;HANG Yin;ZHANG Chang-long;XU Jun;GU Shu-lin;XIA Chang-tai;ZHOU Wei-ning;ZHONG Wei-zhuo   

  • Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要: ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法.本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能.X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好.对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量.494nm附近的发光带可能与氧空位有关.520nm的发光可能与Na或者Si所形成的杂质能级跃迁有关.

关键词: ZnO晶体;光致发光;晶体生长;半导体

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