AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1126-1131.

AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱

秦臻;韩平;韩甜甜;鄢波;李志兵;谢自力;朱顺明;符凯;刘成祥;王荣华;李云菲;S. Xu;N. Jiang;顾书林;张荣;郑有炓

南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093;Plasma Sources and Applications Centre，NIE，Nanyang Teehnological University，Singapore 637616

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000068305)

Photoluminescence Study of Epitaxial 4H-SiC Grown on AlN/Si ( 100 ) Complex Substrate by Chemical Vapor Deposition

QIN Zhen;HAN Ping;HAN Tian-tian;YAN Bo;LI Zhi-bing;XIE Zi-li;ZHU Shun-ming;FU Kai;LIU Cheng-xiang;WANG Rong-hua;LI Yun-fei;S. Xu;N. Jiang;Gu Shu-lin;ZHANG Rong;ZHENG You-dou

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本工作用化学气相淀积方法在AlN/Si(100)复合衬底上生长SiC薄膜.外延生长过程中,采用C4H4和SiH4作为反应气源,H2作为载气.样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的SiC薄膜.俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的Al和N元素.样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03eV和3.17eV处的发光峰,这分别相应于4H-SiC能带中电子从导带到Al受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-SiC.

中图分类号:

O782

秦臻;韩平;韩甜甜;鄢波;李志兵;谢自力;朱顺明;符凯;刘成祥;王荣华;李云菲;S. Xu;N. Jiang;顾书林;张荣;郑有炓. AlN/Si(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1126-1131.

QIN Zhen;HAN Ping;HAN Tian-tian;YAN Bo;LI Zhi-bing;XIE Zi-li;ZHU Shun-ming;FU Kai;LIU Cheng-xiang;WANG Rong-hua;LI Yun-fei;S. Xu;N. Jiang;Gu Shu-lin;ZHANG Rong;ZHENG You-dou. Photoluminescence Study of Epitaxial 4H-SiC Grown on AlN/Si ( 100 ) Complex Substrate by Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(6): 1126-1131.

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