在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1132-1136.

在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜

孙林林;刘宏玉;程文娟;马学鸣;石旺舟

华东师范大学物理系,上海,200062

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市纳米科技专项基金(0352nm009)

Low Temperature Epitaxial Growth of ZnO Films on Si(100) Substrates with AlN Buffer Layers

SUN Lin-lin;LIU Hong-yu;CHENG Wen-juan;MA Xue-ming;SHI Wang-zhou

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)上成功生长了高度c轴取向的AlN薄膜,并以此为衬底,实现了ZnO薄膜的低温准外延生长.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及荧光分光光度计表征ZnO薄膜的结构、表面形貌和发光性能.结果表明,ZnO薄膜能在AlN过渡层上沿c轴准外延生长,采用AlN过渡层后,其荧光强度也有大幅提高.

中图分类号:

TN304

孙林林;刘宏玉;程文娟;马学鸣;石旺舟. 在Si(100)上以AlN作过渡层低温外延生长ZnO薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1132-1136.

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