采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1137-1140.

采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜

张源涛;崔勇国;张宝林;朱慧超;李万成;常遇春;杨树人;杜国同

吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012;吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130012;大连理工大学物理系,大连,116024

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(60307002);吉林大学校科研和教改项目

ZnO Thin Film Grown on p-Si Substrates by MOCVD

ZHANG Yuan-tao;CUI Yong-guo;ZHANG Bao-lin;ZHU Hui-chao;LI Wan-cheng;CHANG Yu-chun;YANG Shu-ren;DU Guo-tong

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在p型Si(100)衬底上生长未掺杂的n型ZnO薄膜.在不同的生长温度下,c轴取向ZnO薄膜被生长在Si衬底上,生长所采用的锌源为二乙基锌(DEZn),氧源为氧气(O2).通过X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)和荧光光(PL)谱研究了薄膜的结构和光学特性.研究表明温度为610℃时生长的ZnO薄膜显示最好的结构和光学特性.此外,所生长n-ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线都表现明显的整流特性,且反向漏电流很小.在620℃生长的异质结的漏电流相对最大,大于在其它温度下生长的异质结的漏电流.

中图分类号:

O484

张源涛;崔勇国;张宝林;朱慧超;李万成;常遇春;杨树人;杜国同. 采用MOCVD法在p型Si衬底上生长Zn0薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1137-1140.

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