采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1154-1157.

采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜

崔勇国;张源涛;朱慧超;张宝林;李万程;杜国同

吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子国家重点实验室,长春,130023

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(60307002);吉林大学校科研和教改项目

Growth of ZnO(002) and ZnO(100) Films on GaAs Substrates by MOCVD

CUI Yong-guo;ZHANG Yuan-tao;ZHU Hui-chao;ZHANG Bao-lin;LI Wan-cheng;DU Guo-tong

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在GaAs衬底上生长出了ZnO薄膜.随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(100)和ZnO(002)薄膜.该薄膜的晶体结构特性是由X光衍射谱仪(XRD)所获得的,而其光学特性是由光荧光谱仪(PL)来测的.与ZnO(002)相比,ZnO(100)薄膜具有更优越的晶体结构特性,并且在同样的生长温度下都具有相似的光学特性.对于腐蚀条件不同的GaAs衬底所进行的XPS分析结果表明,ZnO薄膜优先定位变化的主要原因在于腐蚀过程中形成的富As层.

中图分类号:

O484

崔勇国;张源涛;朱慧超;张宝林;李万程;杜国同. 采用MOCVD方法在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1154-1157.

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