Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 1167-1170.

Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究

朱军山;徐岳生;刘彩池;赵丽伟;滕晓云

河北工业大学材料学院,天津,300130

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部跨世纪优秀人才培养计划;河北省自然科学基金(E2005000042);广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107)

Morphology and Its Mechanism Study on GaN on Si(111)

ZHU Jun-shan;XU Yue-sheng;LIU Cai-chi;ZHAO Li-wei;TENG Xiao-yun

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面形貌中凹坑的形成及缓冲层生长温度对凹坑的影响.结果表明:温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

中图分类号:

TN304

朱军山;徐岳生;刘彩池;赵丽伟;滕晓云. Si(111)外延GaN的表面形貌及形成机理研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 1167-1170.

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