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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 963-967.
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高立刚;杨宇
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RSS出版日期:2005-12-15
发布日期:2021-01-20
基金资助:GAO Li-gang;YANG Yu
Online:2005-12-15
Published:2021-01-20
摘要： 采用直流磁控溅射技术在不同生长温度制备了一系列的Ge薄膜.应用拉曼散射、X射线衍射、光致发光等技术表征薄膜的结构.结果表明:Ge薄膜的结晶温度约为380℃,并且随着生长温度的升高,Ge的结晶性变好,晶粒长大;对不同尺寸Ge薄膜的光致发光研究表明:随着纳米Ge晶粒尺寸的减小,光致发光峰的相对强度逐渐增强,且发光峰位发生蓝移.用有效质量近似模型讨论了量子尺寸效应和介电限域效应对纳米Ge颗粒发光特性的影响.
中图分类号:
高立刚;杨宇. 纳米Ge薄膜的制备及光致发光特性研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 963-967.
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