MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 982-985.

MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长

孙国胜;王雷;巩全成;高欣;刘兴昉;曾一平;李晋闽

中国科学院半导体研究所,北京,100083

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G20000683)

LPCVD Growth of 3C-SiC on Si Mesas and SiO2/Si Substrates for MEMS Applications

SUN Guo-sheng;WANG Lei;GONG Quan-cheng;GAO Xin;LIU Xing-fang;ZENG Yi-ping;LI Jin-min

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、以及室温Hall测试对所生长的3C-SiC材料进行了测试与分析,结果表明在3C-SiC和SiO2之间没有明显的坑洞形成.

中图分类号:

TN304

孙国胜;王雷;巩全成;高欣;刘兴昉;曾一平;李晋闽. MEMS用Si台面及SiO2/Si衬底上3C-SiC的LPCVD生长[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 982-985.

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