高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (6): 999-1005.

高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料

侯国付;郭群超;王岩;薛俊明;任慧志;宋建;张晓丹;赵颖;耿新华;李以钢

南开大学光电子所,天津,300071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;教育部光电子信息科学技术天津大学南开大学联合实验室,天津,300071;南开大学物理学院,天津,300071

出版日期:2005-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202;G2000028203);教育部重点项目(02167);Open Project of Key Laboratory of Opto-electronic Information Science and Technology, Ministry of Education(2005-18);南开大学校科研和教改项目(J02033)

Device-quality Intrinsic Microcrystalline Silicon Prepared by 13.56MHz PECVD at High Pressure

HOU Guo-fu;GUO Qun-chao;WANG Yan;XUE Jun-ming;REN Hui-zhi;SONG Jian;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;GENG Xin-hua;LI Yi-gang

Online:2005-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22;,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.

中图分类号:

TK51

侯国付;郭群超;王岩;薛俊明;任慧志;宋建;张晓丹;赵颖;耿新华;李以钢. 高压13.56MHz PECVD法沉积器件质量级本征微晶硅材料[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(6): 999-1005.

HOU Guo-fu;GUO Qun-chao;WANG Yan;XUE Jun-ming;REN Hui-zhi;SONG Jian;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;GENG Xin-hua;LI Yi-gang. Device-quality Intrinsic Microcrystalline Silicon Prepared by 13.56MHz PECVD at High Pressure[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(6): 999-1005.

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