四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 474-477.

四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究

李树奇;刘士国;孔勇发;阎文博;刘宏德;邓东灵;高光宇;李彦波;高宏臣;许京军

南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学物理科学学院,天??300071

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部长江学者和创新团队发展计划

Optical Damage Resistance in LiNbO3 Crystals Doped with Tetravalent Ions

LI Shu-qi;LIU Shi-guo;KONG Yong-fa;YAN Wen-bo;LIU Hong-de;DENG Dong-ling;GAO Guang-yu;LI Yan-bo;GAO Hong-chen;XU Jing-jun

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol;的掺铪铌酸锂系列晶体.掺铪浓度达到4mol;时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级.应用全息法测得掺4、6mol;铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol;)铌酸锂晶体的类似.晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol;时具有明显的阈值特征.由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol;.

中图分类号:

O734

李树奇;刘士国;孔勇发;阎文博;刘宏德;邓东灵;高光宇;李彦波;高宏臣;许京军. 四价掺杂铌酸锂晶体抗光折变性能研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 474-477.

LI Shu-qi;LIU Shi-guo;KONG Yong-fa;YAN Wen-bo;LIU Hong-de;DENG Dong-ling;GAO Guang-yu;LI Yan-bo;GAO Hong-chen;XU Jing-jun. Optical Damage Resistance in LiNbO3 Crystals Doped with Tetravalent Ions[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 474-477.

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