直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 478-480.

直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜

周祖源;陈广超;戴风伟;兰昊;宋建华;李彬;佟玉梅;李成明;黑立富;唐伟忠

北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083;北京科技大学冶金与生态学院,北京,100083

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA305508);国家自然科学基金(50472095);教育部留学回国人员科研启动基金(2003-14);北京市科技新星计划项目(2003A13)

Controlling Fabrication of (111)Crystal Surface Dominating Diamond Film by DC ARC Plasma Jet CVD

ZHOU Zu-yuan;CHEN Guang-chao;DAI Feng-wei;LAN Hao;SONG Jian-hua;LI Bin;TONG Yu-mei;LI Cheng-ming;HEI Li-fu;TANG Wei-zhong

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感.利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48.

中图分类号:

O484

周祖源;陈广超;戴风伟;兰昊;宋建华;李彬;佟玉梅;李成明;黑立富;唐伟忠. 直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 478-480.

ZHOU Zu-yuan;CHEN Guang-chao;DAI Feng-wei;LAN Hao;SONG Jian-hua;LI Bin;TONG Yu-mei;LI Cheng-ming;HEI Li-fu;TANG Wei-zhong. Controlling Fabrication of (111)Crystal Surface Dominating Diamond Film by DC ARC Plasma Jet CVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 478-480.

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