表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 510-513.

表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响

贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进

西安电子科技大学教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安,710071

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
Project the National Defense Pre-research Foundation of China(41308060105);陕西省西安市应用材料基金

Influences of Surface Pretreatment on SiC Films Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Process on SiO2/Si Structures

JIA Hu-jun;YANG Yin-tang;CHAI Chang-chun;LI Yue-jin

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2/Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长.实验结果表明,H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉.通过"先硅化再碳化"的工艺方法可以较好地解决SiO2/Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题,同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散.选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时,可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜,薄膜生长速率约为2.0～2.5nm/min.

中图分类号:

O484

贾护军;杨银堂;柴常春;李跃进. 表面预处理对SiO2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 510-513.

JIA Hu-jun;YANG Yin-tang;CHAI Chang-chun;LI Yue-jin. Influences of Surface Pretreatment on SiC Films Grown by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Process on SiO2/Si Structures[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 510-513.

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