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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 514-517.

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硅烷浓度对微晶硅太阳电池的影响

高艳涛;张晓丹;朱锋;魏长春;孙建;赵颖   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)天津,300071
  • 出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202;G2000028203);天津市科委资助项目(043186511);国家自然科学基金(60506003);天津市国际合作项目(05YFGHHZ01400)

Influence of Silane Concentration on the Performance of Microcrystalline Silicon Cells

GAO Yan-tao;ZHANG Xiao-dan;ZHU Feng;WEI Chang-chun;SUN Jian;ZHAO Ying   

  • Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用甚高频等离子化学气相沉积技术(VHF-PECVD)制备了系列p-i-n型微晶硅太阳电池,研究了电池有源层硅烷浓度的变化对电池性能的影响.结果发现:随着硅烷浓度的提高电池的短路电流密度先提高然后降低,转换效率与之有相同的变化趋势,而开路电压随硅烷浓度的提高而增加,这些变化来源于有源层材料结构的改变.电池的填充因子几乎不受硅烷浓度的影响,但受前电极的影响很大.不同系列电池转化效率的最高点虽然处于非晶到微晶的过渡区,但对应电池的晶化率不同.另外,研究结果也给出非晶/微晶过渡区随着辉光功率的提高和沉积气压的降低向高硅烷浓度方向转移.

关键词: 甚高频等离子化学气相沉积;微晶硅太阳电池;硅烷浓度

中图分类号: