退火处理对DKDP晶体光学均匀性的影响研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 532-535.

退火处理对DKDP晶体光学均匀性的影响研究

常新安;涂衡;臧和贵;艾琳

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
北京市自然科学基金(2032005);北京市委组织部优秀人才基金

Study on Influence of Thermal Annealing on Optical Homogeneity of DKDP Crystal

CHANG Xin-an;TU Heng;ZANG He-gui;AI Lin

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 分别对不同生长速度的DKDP晶体进行了退火处理.结果表明,适当温度的退火处理能有效地提高晶体的光学均匀性,尤其是对快速生长的晶体质量提高更为显著.在实验温度范围内,退火温度越高,质量改善越明显.对退火机理进行了初步讨论.

中图分类号:

O782

常新安;涂衡;臧和贵;艾琳. 退火处理对DKDP晶体光学均匀性的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 532-535.

CHANG Xin-an;TU Heng;ZANG He-gui;AI Lin. Study on Influence of Thermal Annealing on Optical Homogeneity of DKDP Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 532-535.

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