ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 569-572.

ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析

徐艺滨;杜国同;刘维峰;杨天鹏;王新胜

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024;吉林大学集成光电子学国家重点实验室,长春,130023;吉林大学集成光电子学国家重点实验室,长春,130023

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60307002);吉林大学校科研和教改项目

Research on Preparation and Properties of Transparent Conductive ZnO:Al Thin films

XU Yi-bin;DU Guo-tong;LIU Wei-feng;YANG Tian-peng;WANG Xin-sheng

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜,靶材为AZO(2;质量分数Al2O3)陶瓷靶.对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射(XRD)、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征.得出在200W下沉积的膜性能最好,可见光区平均透过率达到89;以上,电阻率最低为9.3×10-4Ω·cm.

中图分类号:

TN304

徐艺滨;杜国同;刘维峰;杨天鹏;王新胜. ZnO:Al透明导电薄膜的制备及其特性分析[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 569-572.

XU Yi-bin;DU Guo-tong;LIU Wei-feng;YANG Tian-peng;WANG Xin-sheng. Research on Preparation and Properties of Transparent Conductive ZnO:Al Thin films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 569-572.

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