退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 660-665.

退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响

汪洪;苏凤莲;周圣明;宋学平;刘艳美;李爱侠;尹平;孙兆奇

安徽大学物理与材料科学学院安徽省信息材料与器件重点实验室,合肥,230039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

发布日期:2021-01-20
基金资助:
安徽省优秀青年科技基金(00047208);安徽省高校学术和技术带头人后备人选科研项目

Effects of Annealing on the Structure and Photoluminescence of ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate

WANG Hong;SU Feng-lian;ZHOU Sheng-ming;SONG Xue-ping;LIU Yan-mei;LI Ai-xia;YIN ping;SUN Zhao-qi

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射法在硅(111)衬底上制备了C轴高度取向的ZnO薄膜,并研究了退火温度和氧气气氛对ZnO薄膜晶体质量、晶粒度大小和光致发光谱的影响.X射线衍射表明,所有薄膜均为高度C轴择优取向,当退火温度低于900℃时,随着退火温度的升高,薄膜的取向性和结晶度都明显提高.室温下对ZnO薄膜进行了光谱分析,退火后的样品均可观测到明显的紫光发射.在一定的退火温度范围内,还可以观测到明显的紫外双峰.空气中退火的样品,当退火温度达到或高于600℃还可观测到绿光发射.实验结果表明,发光峰强度随退火温度和氧气气氛不同而不同,通过改变退火时的温度和氧气气氛可以改变ZnO薄膜的微结构和发光性质.

中图分类号:

O484

汪洪;苏凤莲;周圣明;宋学平;刘艳美;李爱侠;尹平;孙兆奇. 退火对Si(111)衬底上ZnO薄膜的结构和发光特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 660-665.

WANG Hong;SU Feng-lian;ZHOU Sheng-ming;SONG Xue-ping;LIU Yan-mei;LI Ai-xia;YIN ping;SUN Zhao-qi. Effects of Annealing on the Structure and Photoluminescence of ZnO Thin Films Grown on Silicon Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 660-665.

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