Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 669-672.

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Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究

李强;介万奇;傅莉;汪晓芹;查钢强;曾冬梅;杨戈

西北工业大学材料学院,西安,710072

发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50336040)

Study on PL and Electrical Properties of Au/p-CZT Crystal

LI Qiang;JIE Wan-qi;FULi;WANG Xiao-qin;ZHA Gang-qiang;ZENG Dong-mei;YANG Ge

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度.用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流.主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率.

中图分类号:

TN304.2

李强;介万奇;傅莉;汪晓芹;查钢强;曾冬梅;杨戈. Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 669-672.

LI Qiang;JIE Wan-qi;FULi;WANG Xiao-qin;ZHA Gang-qiang;ZENG Dong-mei;YANG Ge. Study on PL and Electrical Properties of Au/p-CZT Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 669-672.

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[1]	李阳, 曹昆, 介万奇. 热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1705-1711.
[2]	康杰, 丁紫阳, 王晓燕, 李连荣, 孙为云, 焦璨, 宋月鹏. 腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 684-691.
[3]	李传皓, 李忠辉, 彭大青, 张东国, 杨乾坤, 罗伟科. 大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 252-257.
[4]	聂凡, 韩硕, 曾冬梅. 双轴应变对单层CdZnTe电子特性和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(8): 1394-1399.
[5]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[6]	彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科. 基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 746-752.
[7]	张君华, 贾志刚, 董海亮, 臧茂荣, 梁建, 许并社. AlGaInN/InGaN应变补偿DBR结构设计[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(3): 452-459.
[8]	路淑娟, 陈蓓曦, 张路, 曹波, 张云博, 马志永, 齐兴旺, 于洪国. 红外LED用GaAs单晶的垂直梯度凝固制备研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(2): 235-243.
[9]	娄艳芳, 巩拓谌, 张文, 郭钰, 彭同华, 杨建, 刘春俊. 8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备与表征[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(12): 2131-2136.
[10]	刘国峰, 左然. GaN-MOVPE气相自由基反应的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(3): 469-476.
[11]	程红娟, 金雷, 武红磊, 齐海涛, 王增华, 史月曾, 张丽. AlN单晶生长行为研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(11): 2200-2205.
[12]	刘兵;蒲红斌;赵然;赵子强;鲍慧强;李龙远;李晋;刘素娟. 高品质6英寸N型4 H-SiC单晶生长研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(4): 570-575.
[13]	兰天平;边义午;周春锋;宋禹. VGF法半绝缘GaAs单晶EL2浓度优化研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(3): 412-416.
[14]	牛楠楠;左然. AlN的MOCVD生长中表面吸附的量子化学研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(7): 1268-1274.
[15]	李凡生;余小英;唐文翰;房慧;王如志. TiO2材料(100)典型晶面的形成与电子结构的研究[J]. 人工晶体学报, 2019, 48(4): 611-615.

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