ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 57-61.

ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究

白大伟;李焕勇;介万奇;李培森;赵海涛

西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50502028;50336040);西北工业大学校科研和教改项目

Growth and Characterizations of ZnSe Film by Chemical Activated Hot Wall Expitaxy

BAI Da-wei;LI Huan-yong;JIE Wan-qi;LI Pei-sen;ZHAO Hai-tao

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比.研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响.采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性.研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜.ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰.

中图分类号:

O484

白大伟;李焕勇;介万奇;李培森;赵海涛. ZnSe薄膜的化学反应辅助热壁外延法生长及特性研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 57-61.

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