采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 85-88.

采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料

侯国付;薛俊明;袁育杰;张德坤;孙建;张建军;赵颖;耿新华

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息科学与技术教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603);天津市自然科学基金(043612511)

High Conductive p-type Microcrystalline Silicon with High Crystallinity Prepared by High-pressure RF-PECVD

HOU Guo-fu;XUE Jun-ming;YUAN Yu-jie;ZHANG De-kun;SUN Jian;ZHANG Jian-jun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了采用高压射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料的结果.重点研究了反应压力和辉光功率对p型微晶硅材料结构和电学特性的影响.通过沉积参数的优化,在很薄的厚度(33nm)时,材料的暗电导率依然达到1.81S/cm,激活能达25meV,晶化率为57;.文中还对高压RF-PECVD能够制备p型微晶硅材料的生长机理和高电导机理进行了分析.

中图分类号:

TN304

侯国付;薛俊明;袁育杰;张德坤;孙建;张建军;赵颖;耿新华. 采用高压RF-PECVD法制备高电导、高晶化率的p型微晶硅材料[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 85-88.

HOU Guo-fu;XUE Jun-ming;YUAN Yu-jie;ZHANG De-kun;SUN Jian;ZHANG Jian-jun;ZHAO Ying;GENG Xin-hua. High Conductive p-type Microcrystalline Silicon with High Crystallinity Prepared by High-pressure RF-PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(1): 85-88.

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