GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 89-92.

GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移

孙晓娟;胡礼中;田怡春;张籍权;张红治;梁秀萍;潘石

大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116023;辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,大连,116023

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60377005);科技部重大基础研究项目前期研究专项基金(2004CCA03700)

Peeling and Transferring of GaAs Microtips by Selective Wet Etching Substrate Technique

SUN Xiao-juan;HU Li-zhong;TIAN Yichun;ZHANG Ji-quan;ZHANG Hong-zhi;LIANG Xiu-ping;PAN Shi

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法-GaAs衬底选择湿法刻蚀技术.利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征.结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤.这种技术对实现由带有PIN光探测器的垂直腔面发射激光器与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着非常重要的应用价值.

中图分类号:

TN305

孙晓娟;胡礼中;田怡春;张籍权;张红治;梁秀萍;潘石. GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 89-92.

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