三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (1): 98-101.

三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究

艾琳;常新安;臧和贵;肖卫强;涂衡

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

出版日期:2007-02-15 发布日期:2021-01-20

Study on Growth and Properties of Doped TGS Crystal

AI Lin;CHANG Xin-an;ZANG He-gui;XIAO Wei-qiang;TU Heng

Online:2007-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol;三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol;三氟乙酸和4.4mol;丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍.

中图分类号:

O782

艾琳;常新安;臧和贵;肖卫强;涂衡. 三氟乙酸和丙三醇双掺TGS晶体生长与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(1): 98-101.

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