CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 293-296.

CVD法制备高质量ZnO纳米线及生长机理

唐斌;邓宏;税正伟;陈金菊;韦敏

电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054;西南石油大学理学院,成都,610500

出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60390073);四川省应用基础研究计划(JY0290681);国家预研基金(ZJ.5.8)

Preparation and Growth Mechanism of Well-aligned ZnO Nanowires by Chemical Vapor Deposition

TANG Bin;DENG Hong;SHUI Zheng-wei;CHEN Jin-ju;WEI Min

Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以金做催化剂,采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(100)衬底上生长了整齐紧密排列的ZnO纳米线.XRD图谱上只有ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿[001]择优生长;扫描电子显微镜分析表明:ZnO纳米线整齐排列在Si(100)衬底上,直径在100nm左右,平均长度为4μm.研究发现ZnO纳米线的生长机理与传统的V-L-S机理有所不同:生长过程中,在Si(100)衬底上先生长了大约500nm厚的ZnO薄膜,而ZnO纳米线生长在薄膜之上.

中图分类号:

TN304

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