分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 385-389.

分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究

魏青竹;吴俊;巫艳;陈路;于梅芳;傅祥良;乔怡敏;王伟强;何力

中国科学院上海技术物理研究所材料器件中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039

出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20

Minority Carrier Lifetime in P-type Hg(1-x)CdxTe Grown by MBE

WEI Qing-zhu;WU Jun;WU Yan;CHEN Lu;YU Mei-fang;FU Xiang-liang;QIAO Yi-min;WANG Wei-qiang;HE Li

Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用μ-PCD载流子寿命测量系统,对采用MBE方法生长的Hg空位型中波HgCdTe P型材料和原位As掺杂激活中波P型材料的少子寿命进行了测量,并对材料的少子寿命与温度、载流子浓度的依赖关系进行了研究.结果发现,Hg空位型HgCdTe材料,在非本征区范围内,SRH再结合机制起主要作用;在本征区域,Auger再结合和Radiative再结合机制起主要作用.通过拟和得到,低温下作为SRH再结合中心的汞空位能级位置在离价带顶30meV处,有着类受主的性质,起库仑吸引作用,限制了材料的少子寿命.As掺杂P型材料的少子寿命与同载流子浓度Hg空位为主的P型材料少子寿命相比,大了一个数量级.这就决定了As掺杂P型材料制成的红外探测器件比Hg空位P型材料的探测率高,因此这种材料更适合做多色红外焦平面列阵探测器.

中图分类号:

TM43

魏青竹;吴俊;巫艳;陈路;于梅芳;傅祥良;乔怡敏;王伟强;何力. 分子束外延P型Hg(1-x)CdxTe少子寿命的研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(2): 385-389.

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