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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (2): 390-395.

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掺杂TGS晶体的生长及热释电性能研究

陈连发;关昶;丁斌;强亮生   

  1. 吉林化工学院化工系,吉林,132022;哈尔滨工业大学应用化学系,哈尔滨,150001
  • 出版日期:2007-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Growth and Property of Heavy Rare Earth Dy3+ Doped TGS Crystals

CHEN Lian-fa;GUAN Chang;DING Bin;QIANG Liang-sheng   

  • Online:2007-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 选择重稀土离子Dy3+为掺杂阳离子,DL-丙氨酸与L-谷氨酸部分取代甘氨酸分子,生长了不同掺杂配比的TGS晶体.生长和测试实验表明,掺杂TGS晶体较纯TGS晶体易于生长.将掺杂晶体生长溶液的pH值控制在1~4,可改变掺杂晶体的结晶习性.用ICP发射光谱测试了掺杂晶体中稀土元素的含量,用X射线粉末衍射法测定了晶格参数,结果表明:元素已进入晶体,晶格参数稍有变化,但掺杂晶体的对称性仍为C2-2.通过测量掺杂晶体的电滞回线,得到了内偏压场,还测量了各样品的热释电系数、自发极化强度,作了温度曲线,并分析了各掺杂剂对提高热释电性能和锁定极化的作用.结果表明:是有应用前景的热释电材料.

关键词: 掺杂TGS晶体;稀土与氨基酸掺杂;铁电性能;热释电性能

中图分类号: