工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (4): 798-801.

工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响

任丙彦;刘晓平;李彦林;王敏花;羊建坤;许颖

河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300310;河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300310;北京太阳能研究所,北京,100083;北京太阳能研究所,北京,100083

出版日期:2007-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
河北省自然科学基金(F2005000073)

Effects of Sputtering Pressure on the Properties of Indium Tin Oxide

REN Bing-yan;LIU Xiao-ping;LI Yan-lin;WANG Min-hua;YANG Jian-kun;XU Ying

Online:2007-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 工作气压在ITO薄膜的制备过程中是一个重要的工艺参数,直接决定着薄膜的性能.本文利用射频磁控溅射方法,采用氧化铟锡陶瓷靶材,在衬底温度为175℃,工作气压范围为0.45～1.0 Pa条件下,制备了氧化铟锡透明导电薄膜.研究了工作气压对其微观结构、表面形貌和光电特性的影响.在衬底温度为175℃、纯氩气中制备的氧化铟锡薄膜电阻率为3.04 ×10-4 Ω·cm、可见光波段(400～800 nm)透过率为91.9;,适合用作异质结太阳电池的前电极和减反射膜.

中图分类号:

O484.1

任丙彦;刘晓平;李彦林;王敏花;羊建坤;许颖. 工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 798-801.

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