等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (4): 828-831.

等离子体还原SiCl4一步法制备多晶硅实验研究

冉祎;兰天石;覃攀;戴晓雁;印永祥

四川大学化工学院,成都,610065

出版日期:2007-08-15 发布日期:2021-01-20

Silicon Tetrachloride Direct Reduction to Polysilicon in the Plasma System

RAN Yi;LAN Tian-shi;QIN Pan;DAI Xiao-yan;YIN Yong-xiang

Online:2007-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 区别于改良西门子法、硅烷法、碳热还原法、区域熔炼法等多晶硅生产工艺,利用等离子体技术,建立了以硅的氯化物为原料,一步法制备多晶硅的实验装置和工艺流程,并在此基础上进行了粒状多晶硅制备的实验.实验表明,SiCl4单程转化率超过70;,多晶硅选择性60;.利用XRD、SEM、AS等分析手段,对所得产物进行了表征.与纯度为7个9的多晶硅标样的比较表明,实验产物达到了太阳能级.此方法为多晶硅生产极大地放宽了原料选择条件,为低成本生产太阳能级多晶硅提供了一种新的途径.

中图分类号:

O782

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