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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (4): 859-862.

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磷扩散法制备P型ZnO薄膜

丁瑞钦;朱慧群;曾庆光;林民生;冯文胜;梁毅斌;梁满堂;梁达荣   

  1. 五邑大学薄膜与纳米材料研究所,江门,529020;五邑大学信息学院,江门,529020
  • 出版日期:2007-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    广东省自然科学基金(04011770);广东省江门市科技计划(江财企[2004]59号)

Preparation of p-type ZnO Films by Phosphorus Diffusion

DING Rui-qin;ZHU Hui-qun;ZENG Qing-guang;LIN Min-sheng;FENG Wen-sheng;LING Yi-bin;HANG Man-tang;HANG Da-rong   

  • Online:2007-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 应用射频反应磁控溅射的方法,将ZnO薄膜沉积于高磷掺杂的n+型Si衬底上.在沉积和后退火过程中,磷向ZnO薄膜扩散并被激活,使ZnO薄膜由n型转化为p型,从而形成p型ZnO薄膜.X射线衍射分析(XRD)证明了所制备的ZnO薄膜都是高c轴取向的六角纤锌矿结构的薄膜.电学I-V关系曲线的整流特性和空穴浓度≥1.78×1018 /cm3的霍耳效应测试结果证明了p型ZnO薄膜的形成.

关键词: 磷扩散;p型ZnO薄膜;磁控溅射;异质ZnO p-n结

中图分类号: