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人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (4): 863-868.

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单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究

余晓艳;马鸿文   

  1. 中国地质大学(北京)珠宝学院,北京,100083;中国地质大学(北京)矿物岩石材料开发应用国家专业实验室,北京,100083;中国地质大学(北京)材料科学与技术学院,北京,100083;中国地质大学(北京)矿物岩石材料开发应用国家专业实验室,北京,100083
  • 出版日期:2007-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(40472051);中国地质大学(北京)矿物岩石材料开发应用国家专业实验室开放研究基金(6001)

Preparation of ZnSe Thin Film by Single Source Vacuum Evaporation

YU Xiao-yan;MA Hong-wen   

  • Online:2007-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700~1050 ℃)、基片温度(0~200 ℃)、基片材料(单晶硅、玻璃)以及热处理温度(300~400 ℃)等因素的改变对ZnSe薄膜的成份和结构的影响规律,建立了单源真空蒸发沉积ZnSe薄膜及热处理的实验方法.

关键词: 单源真空蒸发;ZnSe薄膜;电子探针;X射线粉晶衍射

中图分类号: