镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (4): 926-930.

镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射

孙小菁;马书懿;张汉谋;徐小丽;魏晋军

西北师范大学物理与电子工程学院,兰州,730070

出版日期:2007-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60276015);教育部科学技术研究重点项目(204139);甘肃省重点实验室基金(KF-05-03)

Blue Photoluminescence from Magnesium-doped Porous Silicon

SUN Xiao-jing;MA Shu-yi;ZHANG Han-mou;XU Xiao-li;WEI Jin-jun

Online:2007-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用电化学方法对多孔硅薄膜进行了镁离子的化学掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,发现镁掺杂增强了多孔硅的蓝光发射,当镁离子浓度增大到0.002mol/L时,可使蓝光强度达到多孔硅红光强度的一半.红外吸收谱表明,掺镁多孔硅的表面形成较完整的Si-O-Si网络结构,分析结果认为,多孔硅的蓝光光激发主要发生在多孔硅的纳米硅粒中,光发射主要发生在多孔硅中包裹纳米硅SiOx层中的发光中心上,对实验结果进行了合理的解释.

中图分类号:

O734

孙小菁;马书懿;张汉谋;徐小丽;魏晋军. 镁离子掺杂多孔硅的蓝光发射[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(4): 926-930.

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