扩散过程对自组织生长量子点密度影响的模拟研究

人工晶体学报 ›› 2007, Vol. 36 ›› Issue (5): 1000-1004.

扩散过程对自组织生长量子点密度影响的模拟研究

杨瑞东;王全彪;宋超;王茺;杨宇

昆明理工大学材料与冶金工程学院,昆明,650093;红河学院物理系,蒙自,661100;云南大学工程技术研究院,昆明,650091;红河学院物理系,蒙自,661100;云南大学工程技术研究院,昆明,650091

出版日期:2007-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60567001);the Science Foundation of Education Department of Yunnan Province(04Y659A);Cultivated Foundation forAcademic Cadreman of Yunnan University

Simulation of Area Density of Self-organized Growth Quantum Dots by Diffusion

YANG Rui-dong;WANG Quan-biao;SONG Chao;WANG Chong;YANG Yu

Online:2007-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 考虑六方格子衬底上的沉积粒子扩散过程,本文利用Monte Carlo方法对自组织生长岛的面密度进行了研究.模拟得到了岛的生长形貌图,结果表明生长的岛数与扩散步数成反比且存在最大23;岛覆盖率,由岛的覆盖率可估算量子点分布的最大面密度.

关键词: 岛;量子点;扩散;面密度;蒙特卡罗方法

Abstract: The studies of the island area density on the six-lattices substrate by using Monte Carlo method are reported in this paper. The model based on the adatoms diffusion process has been obtained in the simulation for the growth of self-organized islands. The results show that the islands coverage has the maximum growth area coverage of 23;. The maximal theoretical area density of quantum dots can be estimated theoretically according to the coverage.

Key words: The studies of the island area density on the six-lattices substrate by using Monte Carlo method are reported in this paper. The model based on the adatoms diffusion process has been obtained in the simulation for the growth of self-organized islands. The results show that the islands coverage has the maximum growth area coverage of 23;. The maximal theoretical area density of quantum dots can be estimated theoretically according to the coverage.

中图分类号:

TN304

杨瑞东;王全彪;宋超;王茺;杨宇. 扩散过程对自组织生长量子点密度影响的模拟研究[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(5): 1000-1004.

YANG Rui-dong;WANG Quan-biao;SONG Chao;WANG Chong;YANG Yu. Simulation of Area Density of Self-organized Growth Quantum Dots by Diffusion[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(5): 1000-1004.

[1]	李阳, 曹昆, 介万奇. 热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(10): 1705-1711.
[2]	吴蕊, 胡洋, 唐荣芬, 阳倩, 王序, 吴怡逸, 聂登攀, 王环江. MOCVD生长ZnO薄膜的气相寄生反应路径研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(9): 1608-1619.
[3]	钟琼丽, 王绪, 马奎, 杨发顺. Al掺杂对β-Ga₂O₃薄膜光学性质的影响研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(8): 1352-1360.
[4]	康杰, 丁紫阳, 王晓燕, 李连荣, 孙为云, 焦璨, 宋月鹏. 腐蚀法制备SiC量子点粒径调控及尺寸对其光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(4): 684-691.
[5]	李传皓, 李忠辉, 彭大青, 张东国, 杨乾坤, 罗伟科. 大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 252-257.
[6]	马玉麟, 郭祥, 丁召. GaAsBi半导体材料的制备及应用研究进展[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(1): 25-37.
[7]	赵小玻, 韦中华, 张旭, 钱纁, 于浩海. 化学气相沉积ZnS、ZnSe研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(12): 2125-2134.
[8]	王黎光, 芮阳, 盛旺, 马吟霜, 马成, 陈炜南, 邹啟鹏, 杜朋轩, 黄柳青, 罗学涛. 横向磁场下坩埚转速对半导体级直拉单晶硅熔体中流场与氧浓度的影响机制[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(9): 1641-1650.
[9]	聂凡, 韩硕, 曾冬梅. 双轴应变对单层CdZnTe电子特性和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(8): 1394-1399.
[10]	陈根强, 赵浠翔, 于众成, 李政, 魏强, 林芳, 王宏兴. 异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 931-944.
[11]	宋长坤, 黄晓莹, 陈英鑫, 喻颖, 余思远. 半导体单量子点的分子束外延生长及调控[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(6): 982-996.
[12]	彭大青, 李忠辉, 蔡利康, 李传皓, 杨乾坤, 张东国, 罗伟科. 基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 746-752.
[13]	吴锐文, 宋华平, 杨军伟, 屈红霞, 赖晓芳. 基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 759-765.
[14]	殷鑫燕, 陈鹏, 梁子彤, 赵红. MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 791-797.
[15]	屈鹏霏, 金鹏, 周广迪, 王镇, 许敦洲, 吴巨, 郑红军, 王占国. 单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(5): 857-877.