坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 301-304.

坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究

史宏声;任国浩;仲维卓

中国计量学院,杭州,310018;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20

Growth of NaBi ( WO4 )2 Crystal and Study of the Growth Face

SHI Hong-sheng;REN Guo-hao;ZHONG Wei-zhuo

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文用坩埚下降法自发成核的方法生长了钨酸铋钠NaBi(WO4)2晶体,得到了尺寸达18×18 × 52 mm3的透明晶体.研究了该晶体的生长面,发现晶体的生长面以(001)面为主,并运用布拉维(Bravais)法则和负离子配位多面体生长基元理论对这一现象进行了分析.

中图分类号:

O713

史宏声;任国浩;仲维卓. 坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 301-304.

SHI Hong-sheng;REN Guo-hao;ZHONG Wei-zhuo. Growth of NaBi ( WO4 )2 Crystal and Study of the Growth Face[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 301-304.

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坩埚下降法钨酸铋钠晶体生长及其生长面研究

Growth of NaBi ( WO4 )2 Crystal and Study of the Growth Face

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