PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 332-336.

PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究

刘玉芬;郜小勇;刘绪伟;赵剑涛;卢景霄

郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州,450052

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202601)

Investigation on Conductive Properties of Phosphorus-doped nc-Si(P) : H Thin Films Grown by PECVD

LIU Yu-fen;GAO Xiao-yong;LIU Xu-wei;ZHAO Jian-tao;LU Jing-xiao

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳晶硅(nc-Si:H)薄膜和掺磷纳晶硅(nc-Si(P):H)薄膜.通过拉曼散射谱和XRD衍射谱分别研究了PH3浓度对nc-Si(P):H薄膜的晶化率(Xc)和晶格微观畸变(Ls)的影响,结果显示随着PH3浓度的增加,Xc和Ls.均呈现了先增加后减小的相似趋势,暗示二者之间存在紧密的关联;利用四探针法测量了nc-Si(P):H薄膜的电导率(σ),结果表明,nc-Si(P):H薄膜的σ比nc-Si:H薄膜提高了约5个数量级,且随着PH,浓度的增大而单调增大.该变化可以从Xc、Ls的角度得到合理解释.

中图分类号:

O484

刘玉芬;郜小勇;刘绪伟;赵剑涛;卢景霄. PECVD生长掺磷纳晶硅薄膜的电导特性研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 332-336.

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