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人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 411-416.

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退火温度对TiO2薄膜结构、组分和光学性能的影响

周明飞;孟凡明;孙兆奇;宋学萍   

  1. 安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039
  • 出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50642038);教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20060357003);安徽省高等学校省级自然科研基金(KJ20078132);安徽大学研究生创新项目(20073038)

Effect of Annealing Temperature on Structural, Compositional and Optical Properties of TiO2 Films

ZHOU Ming-fei;MENG Fan-ming;SUN Zhao-qi;SONG Xue-ping   

  • Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用射频磁控溅射,在硅和石英基底上制备了厚度为150 nm的TiO2薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和光致发光谱(PL)等多种测试分析技术,研究退火温度对TiO2薄膜结构、组分及光学性能的影响.研究结果表明,未退火薄膜为无定型结构;随着退火温度的升高薄膜的金红石相含量逐渐增加,并沿(110)晶面择优取向.能隙也由退火前的3.03 eV逐渐增加到900℃退火后的3.18eV.对于TiO2薄膜催化活性最优的退火温度应为800℃.

关键词: 射频磁控溅射;TiO22薄膜;退火;光学性能

中图分类号: