基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 461-465.

基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究

赵晓锋;温殿忠;高来勖

黑龙江大学黑龙江省普通高等学校电子工程重点实验室,哈尔滨,150080;黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60676044);黑龙江省教育厅科学技术研究项目(11521215);电子工程黑龙江省高校重点实验室项目(DZZD2006-12)

Preparation Research of ZnO Thin Films at Room-temperature by DC Magnetron Sputtering

ZHAO Xiao-feng;WEN Dian-zhong;GAO Lai-xu

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用直流磁控溅射法在P型<100>晶向单晶硅衬底上室温制备ZnO薄膜,对室温制备的ZnO薄膜分别在500℃、600℃、700℃进行高温退火,通过采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱和场发射扫描电子显微镜(SEM)、HP4145B型半导体参数测试仪分析不同退火温度对室温生长ZnO薄膜微结构、表面形貌和,Ⅰ-Ⅴ特性影响.实验结果表明,室温生长的ZnO薄膜为非晶态,随退火温度增加,ZnO薄膜出现(002)、(100)、(101)晶面衍射峰且逐渐增强,晶粒大小相对增加,在700℃退火后,呈高度c轴择优取向,晶粒间界明显,拉曼光谱E2模增强.

中图分类号:

TM614

赵晓锋;温殿忠;高来勖. 基于直流磁控溅射室温制备ZnO薄膜研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 461-465.

ZHAO Xiao-feng;WEN Dian-zhong;GAO Lai-xu. Preparation Research of ZnO Thin Films at Room-temperature by DC Magnetron Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(2): 461-465.