膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (2): 466-470.

膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响

范素华;张伟;王培吉;张丰庆;冯博楷;马建平

山东建筑大学材料科学与工程学院,济南,250101;济南大学理学院,济南,250022

出版日期:2008-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省自然科学基金(Y2007F36);国家自然科学基金(60471042)

Dependences of Film Thickness on Structure and Properties of Nd Doping Calcium Strontium Bismuth Titanium Ferroelectric Film

FAN Su-hua;ZHANG Wei;WANG Pei-ji;ZHANG Feng-qing;FENG Bo-kai;MA Jian-ping

Online:2008-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响.发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的,I(200)/[I(119)+I(001)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.

中图分类号:

TM223

范素华;张伟;王培吉;张丰庆;冯博楷;马建平. 膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(2): 466-470.

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