P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 602-605.

P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用

焦宝臣;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;杨瑞霞

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300130

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);国家自然科学基金(60506003);南开大学校科研和教改项目(J02031);科技部国际科技合作项目(2006DFA62390);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603);新世纪优秀人才支持计划

Fabrication of P Type ZnO Thin Film and Its Application in Solar Cells

JIAO Bao-chen;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;YANG Rui-xiao

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用超声雾化热分解技术(USP)、通过N-Al共掺的方法,在coming 7059衬底上生长出P型透明导电膜.该薄膜在可见光范围内的透过率可达到90;以上.X射线衍射的测试结果表明:P型透明导电膜具有c轴择优生长特性.通过霍耳测试得到P型ZnO薄膜的电学特性为:电阻率为4.21 Ω·cm、迁移率是0.22 cm2/(V·s)、载流子浓度为6.68×1018cm-3.此材料初步应用到微晶硅电池中,其开路电压为0.47 V.

中图分类号:

O484

焦宝臣;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;杨瑞霞. P型ZnO薄膜的制备及其在太阳电池中的初步应用[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 602-605.

JIAO Bao-chen;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;YANG Rui-xiao. Fabrication of P Type ZnO Thin Film and Its Application in Solar Cells[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 602-605.

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