近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 627-630.

近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

董阳春;王领航;介万奇

西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2007AA03Z442);西北工业大学校科研和教改项目(CX200606);西北工业大学校科研和教改项目(Z200612)

Defect Etching of Near-infrared Semiconductor HgInTe

DONG Yang-chan;WANG Ling-hang;JIE Wan-qi

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析.利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究.结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形.在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pit density)约在105/cm2数量级.HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成.HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹.该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好.

中图分类号:

董阳春;王领航;介万奇. 近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 627-630.

DONG Yang-chan;WANG Ling-hang;JIE Wan-qi. Defect Etching of Near-infrared Semiconductor HgInTe[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 627-630.

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