在硅衬底上制备Si纳米线及其表征

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 644-647.

在硅衬底上制备Si纳米线及其表征

要秉文;郝相雨;籍凤秋

石家庄铁道学院材料科学与工程分院,石家庄,050043;石家庄铁道学院四方学院,石家庄,050000

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20

Preparation and Characterization of Silica Nanowires on the Silica Substrate

YAO Bing-wen;HAO Xiang-yu;JI Feng-qiu

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05 M FeCl2·6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线.用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构.试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式.

中图分类号:

O484

要秉文;郝相雨;籍凤秋. 在硅衬底上制备Si纳米线及其表征[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 644-647.

YAO Bing-wen;HAO Xiang-yu;JI Feng-qiu. Preparation and Characterization of Silica Nanowires on the Silica Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 644-647.

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