衬底温度对SnS薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (3): 666-669.

衬底温度对SnS薄膜性能的影响

郭余英;史伟民;魏光普;夏义本

上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

出版日期:2008-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
上海市科学技术委员会专项基金重点项目(03DZ12033);上海市重点学科建设项目(T0101);SHU SOLARE R&D研究项目

Influence of Substrate Temperature on Properties of Tin Sulfide Thin Films

GUO Yu-ying;SHI Wei-min;WEI Guang-pu;XIA Yi-ben

Online:2008-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.

中图分类号:

TN304

郭余英;史伟民;魏光普;夏义本. 衬底温度对SnS薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(3): 666-669.

GUO Yu-ying;SHI Wei-min;WEI Guang-pu;XIA Yi-ben. Influence of Substrate Temperature on Properties of Tin Sulfide Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(3): 666-669.

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