MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究

人工晶体学报 ›› 2008, Vol. 37 ›› Issue (4): 849-852.

MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究

WANG Yin-zhen;徐军;CHU Ben-li;何琴玉

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;华南师范大学物理与电信工程学院,广州,510631

出版日期:2008-08-15 发布日期:2021-01-20

Growth and Properties of ZnO Thin Films Grown on (220) CaF2 by MOCVD

WANG Yin-zhen;XU Jun;CHU Ben-li;HE Qin-yu

Online:2008-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在(220)CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱和光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜结晶性能良好,具有高度的(002)的择优取向,002衍射峰的半高宽(FMHM)为0.115°.所制备的ZnO薄膜透明,透过率超过85;.在常温的(He-Cd激光器)PL谱中,只有378.5 nm的带边发射.用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中,在低温20K时,出现218 nm、368 nm、418 nm、554 nm发光峰,其中368 nm峰强度随着温度的升高强度逐渐下降,到常温时几乎消失.

中图分类号:

O484

WANG Yin-zhen;徐军;CHU Ben-li;何琴玉. MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(4): 849-852.

WANG Yin-zhen;XU Jun;CHU Ben-li;HE Qin-yu. Growth and Properties of ZnO Thin Films Grown on (220) CaF2 by MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(4): 849-852.

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