退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (1): 143-147.

退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

张佳雯;高斐;晏春愉;孙杰;权乃承;刘伟;方晓玲

陕西师范大学物理与信息技术学院,西安,710062

出版日期:2009-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省自然科学基金(691150)

Effect of Annealing Temperature on the Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO2 Film

ZHANG Jia-wen;GAO Fei;YAN Chun-yu;SUN Jie;QUAN Nai-cheng;LIU Wei;FANG Xiao-ling

Online:2009-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.

中图分类号:

TN304

张佳雯;高斐;晏春愉;孙杰;权乃承;刘伟;方晓玲. 退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(1): 143-147.

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