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人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 317-320.

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ZnO掺杂对PVK∶Ir(ppy)3体系发光特性的影响

杨少鹏;邱晓丽;赵方超;秦向东;庞学霞;傅广生   

  1. 河北大学物理科学与技术学院,保定,071002
  • 出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60678006);河北省博士基金(06547002D-4);河北省自然科学基金(E2007000196)

Influence of ZnO on the Luminescence Properties of PVK∶ Ir(ppy)3 Systems

YANG Shao-peng;QIU Xiao-li;ZHAO Fang-chao;QIN Xiang-dong;PANG Xue-xia;FU Guang-sheng   

  • Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 以无机纳米颗粒ZnO作为电子传输材料,并以不同质量比掺杂到PVK∶ Ir(ppy)3体系作为发光层制成一系列磷光器件,器件结构为:ITO/PVK∶ Ir(ppy)3∶ ZnO(100∶ 1∶ x)/ BCP/Alq3/Al, ZnO的掺杂浓度x分别为0;,1;,2;,5;,10;,研究了它们的电致发光特性.结果表明:合适比例ZnO掺杂可以改善器件的发光特性,ZnO的最佳掺杂量为1;,此时器件的相对发光强度是未掺杂的器件的4倍,器件的启亮电压也由未掺杂时的15.5 V降到了10.5 V.当掺杂浓度较大时,电子传输过多在电极另一侧形成漏电流,没有在发光层内进行电子与空穴有效复合,没有对发光起到作用,导致器件的发光性能下降.

关键词: 磷光;有机电致发光;ZnO

中图分类号: