Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (2): 455-459.

Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

刘芳芳;孙云;张力;何青;李长健

南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

出版日期:2009-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA513020)

Study on the Diode Characteristics of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells

LIU Fang-fang;SUN Yun;ZHANG Li;HE Qing;LI Chang-jian

Online:2009-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.

中图分类号:

TM615

刘芳芳;孙云;张力;何青;李长健. Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究[J]. 人工晶体学报, 2009, 38(2): 455-459.

LIU Fang-fang;SUN Yun;ZHANG Li;HE Qing;LI Chang-jian. Study on the Diode Characteristics of Cu(In,Ga)Se2 Thin Film Solar Cells[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2009, 38(2): 455-459.

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