人工晶体学报 ›› 2009, Vol. 38 ›› Issue (6): 1485-1488.
胡学兵;周健儿;徐小勇;汪永清;张小珍
出版日期:
2009-12-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
HU Xue-bing;ZHOU Jian-er;XU Xiao-yong;WANG Yong-qing;ZHANG Xiao-zhen
Online:
2009-12-15
Published:
2021-01-20
摘要: 以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol;时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参数并增大了其晶胞体积.
中图分类号:
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